SK하이닉스 2024년 DRAM 생산량 및 전략 분석

SK하이닉스 2024년 DRAM 생산량 및 전략 분석

2024년 SK하이닉스는 AI 산업 확장과 고대역폭메모리(HBM) 수요 급증을 기반으로 역대 최고 실적을 기록하며 DRAM 생산 전략을 혁신적으로 전개했습니다. 이는 전통적인 D램 시장의 구조적 변화와 고부가가치 제품 중심의 생산 체계 전환으로 이어졌습니다. 아래에서는 생산량 추정, 기술 개발, 시장 전략 등을 종합적으로 분석합니다.

1. 2024년 DRAM 생산량 추정 및 생산 역량

• 생산 설비 및 가동률:
  SK하이닉스는 국내와 중국에 위치한 Fab(생산 시설)을 기반으로 DRAM을 생산합니다. 주요 Fab으로는 이천의 M16, M14, M10과 청주의 NAND 전용 Fab이 있으며, 중국 우시의 C2/C2F에서도 DRAM 생산이 이루어집니다. 2023년 기준 누적 생산능력은 34.8조 원으로 집계되었으며, 가동률은 100%를 유지했습니다. 2024년에는 M15X(이천)와 용인 산단 등에 대한 인프라 투자를 확대하며 생산 역량을 강화했습니다.
• 생산량 증가 요인:
  HBM3/HBM3E 수요 급증으로 DRAM 생산 라인의 효율성이 개선되었습니다. 4분기 기준 HBM이 전체 DRAM 매출의 40% 이상을 차지했으며, 특히 HBM3E 8단 및 12단 제품의 적기 공급이 생산량 증가에 기여했습니다[^10^]. 또한 기업용 SSD(eSSD) 판매 확대로 저장장치와의 시너지 효과도 발생했습니다.
• 매출 대비 생산량 추정:
  2024년 매출은 전년 대비 102% 증가한 66.19조 원을 기록했으며, 이 중 DRAM 부문이 차지하는 비중은 약 70%(추정)로 분석됩니다. 생산량 역시 전년 대비 50% 이상 증가한 것으로 추정되나, 구체적인 수치는 공개되지 않았습니다.

2. HBM 중심의 생산 전략

• HBM3E/HBM4 개발 및 공급:
  AI 서버용 GPU(예: Nvidia H100/H200) 수요 증가로 HBM3E 생산이 가속화되었습니다. 2024년 3월 HBM3E 8단 제품을 최초로 납품한 후, 9월에는 12단 HBM3E를 양산하며 시장 선점을 강화했습니다. 2024년 HBM 매출은 전년 대비 4.5배 이상 증가했으며, 이는 전체 DRAM 매출 성장의 핵심 동력이 되었습니다.
  또한 2026년 출시 예정인 HBM4 개발을 위해 2024년 하반기부터 12단 및 16단 제품 설계에 집중했으며, MR-MUF(매스 리플로우 언더필) 기술과 TSMC와의 협력을 통해 기술 경쟁력을 확보했습니다.
• 고용량 서버 D램(DDR5) 생산 확대:
  AI 서버 및 데이터센터 수요 증가로 DDR5 생산 비중을 확대했습니다. 2024년 말 기준 DDR5는 전체 서버 D램 수요의 50% 이상을 차지했으며, 신규 CPU 호환성을 통해 2025년까지도 견조한 성장이 예상됩니다. LPDDR5 역시 모바일 기기 시장에서 고성능 수요를 흡수하며 생산량을 늘렸습니다.

3. 생산 공정 혁신 및 투자 계획

• 선단 공정 전환:
  DDR5 및 LPDDR5 생산을 위해 1α nm(나노미터) 이하 공정으로의 전환을 가속화했습니다. 이는 수율 향상과 원가 절감을 동시에 달성하는 전략으로, 2024년 말 기준 DDR4/LPDDR4 비중을 한자릿수로 축소하며 고부가가치 제품 포트폴리오를 재편했습니다.
• 3D DRAM 개발 현황:
  기존 2D 평면 구조를 벗어나 수직 적층 방식의 3D DRAM 개발에 성공했습니다. 2024년 6월 VLSI 컨퍼런스에서 5층 적층 제품의 56.1% 수율을 발표하며 기술적 진전을 입증했으나, 상용화까지는 32~192층 적층 기술 개발이 필요해 2030년 이후로 예상됩니다. 이는 향후 DRAM 생산 패러다임을 바꿀 잠재력을 지닌 기술입니다.
• 설비 투자 확대:
  M15X Fab 확장과 용인 산단 신규 라인 구축에 연간 투자 규모를 소폭 증가시켰습니다. 또한 중국 다롄 Fab을 통해 NAND 생산 역량을 강화하며 메모리 사업의 균형 발전을 도모했습니다.

4. 시장 환경 및 재고 관리 전략

• B2B vs B2C 시장 양극화:
  Hyperscaler(대규모 클라우드 업체)를 중심으로 한 B2B 수요는 DDR5 전환을 앞두고 장기 계약(LTA)을 확대하며 안정적인 생산 기반을 구축했습니다. 반면 PC/스마트폰 등 B2C 시장은 재고 조정으로 인해 DRAM 현물 가격 약세가 지속되었습니다. SK하이닉스는 B2C 제품 비중을 축소하고 HBM 및 서버 D램에 집중하며 수익성을 유지했습니다.
• 재무 건전성 강화:
  2024년 말 기준 현금성 자산은 14.2조 원으로 전년 대비 5.2조 원 증가했으며, 차입금은 22.7조 원으로 6.8조 원 감소했습니다. 부채 비율도 31%로 개선되며 투자 여력을 확보했습니다. 또한 연간 배당금을 25% 인상(1,200원 → 1,500원)하고, 잉여 현금흐름의 5%를 재무 안정화에 할당하며 장기 성장을 준비했습니다.

5. 2025년 전망 및 과제

• HBM3E/HBM4 수요 지속 전망:
  AI 서버 투자 확대와 HBM4 개발 완료(2025년 하반기)로 HBM 생산량은 2025년 2배 이상 증가할 것으로 예상됩니다. 특히 16단 HBM4는 2026년 하반기 양산을 목표로 고객사와의 협력을 강화 중입니다.
• DDR5 및 LPDDR5 시장 점유율 확대:
  인텔·AMD의 차세대 CPU 출시에 따라 DDR5 수요가 본격화되며, SK하이닉스는 DDR5 생산 비중을 70% 이상으로 확대할 계획입니다. LPDDR5 역면 폴더블 스마트폰과 AI 탑재 기기 수요 증가로 성장세가 지속될 전망입니다.
• 3D NAND와의 시너지:
  낸드 플래시 부문에서도 수익성 중심 전략을 유지하며, AI 학습용 고용량 SSD 공급을 확대할 예정입니다. 2024년 eSSD 매출은 전년 대비 300% 증가하며 저장장치와 메모리의 시너지 효과가 극대화되었습니다.

종합 평가

2024년 SK하이닉스의 DRAM 생산량은 HBM과 DDR5 중심의 고부가가치 제품 생산 확대에 힘입어 급성장했습니다. 생산 설비 가동률 100% 유지, 공정 혁신, 재무 건전성 강화 등 종합적 전략이 결합되며 AI 시대를 선도하는 메모리 기업으로의 입지를 공고히 했습니다. 2025년에는 HBM4 상용화와 3D DRAM 기술 개발을 통해 기술적 격차를 더욱 확대할 것으로 기대됩니다.